
RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor

Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.35 грн |
10+ | 140.09 грн |
100+ | 112.60 грн |
500+ | 86.82 грн |
1000+ | 72.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RBR20BGE30ATL Rohm Semiconductor
Description: 30V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V.
Інші пропозиції RBR20BGE30ATL за ціною від 65.03 грн до 221.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RBR20BGE30ATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RBR20BGE30ATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |