RCD080N25TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 53.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCD080N25TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCD080N25TL за ціною від 50.69 грн до 131.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RCD080N25TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 8A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RCD080N25TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 8A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RCD080N25TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 8A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V |
на замовлення 5359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RCD080N25TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 250V 8A MOSFET |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|