RCD100N20TL

RCD100N20TL Rohm Semiconductor


rcd100n20-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 200V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+35.38 грн
356+34.24 грн
360+33.83 грн
500+32.13 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCD100N20TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 10A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RCD100N20TL за ціною від 55.15 грн до 77.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RCD100N20TL RCD100N20TL Виробник : Rohm Semiconductor rcd100n20-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+77.54 грн
165+74.07 грн
250+71.10 грн
500+66.09 грн
1000+59.19 грн
2500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N20TL RCD100N20TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RCD100N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD100N20TL RCD100N20TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RCD100N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.