RCJ120N20TL

RCJ120N20TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCJ120N20TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RCJ120N20TL за ціною від 33.25 грн до 137.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RCJ120N20TL RCJ120N20TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.33 грн
10+95.60 грн
100+55.25 грн
500+45.98 грн
1000+37.89 грн
2000+34.36 грн
5000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RCJ120N20TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL RCJ120N20TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.