RCJ331N25TL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+177.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263S, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції RCJ331N25TL за ціною від 95.96 грн до 337.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+200.06 грн
100+132.55 грн
500+113.22 грн
1000+99.41 грн
2000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL RCJ331N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
10+291.15 грн
100+238.57 грн
500+190.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.47 грн
10+200.06 грн
100+132.55 грн
500+113.22 грн
1000+99.41 грн
2000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.06 грн
10+291.15 грн
100+238.57 грн
500+190.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.