Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RCJ331N25TL
RCJ331N25TL

RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+181.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCJ331N25TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 211W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції RCJ331N25TL за ціною від 194.59 грн до 344.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RCJ331N25TL RCJ331N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.13 грн
10+297.25 грн
100+243.58 грн
500+194.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM rcj331n25tl-e.pdf Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL RCJ331N25TL ROHM rcj331n25tl-e.pdf Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ331N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.13 грн
10+297.25 грн
100+243.58 грн
500+194.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL datasheet?p=RCJ331N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ331N25TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 250V 33A, Nch, TO-263S, Power MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL rcj331n25tl-e.pdf
RCJ331N25TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ331N25TL rcj331n25tl-e.pdf
RCJ331N25TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.105 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.