RCJ331N25TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 181.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCJ331N25TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-263S, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції RCJ331N25TL за ціною від 146.05 грн до 356.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RCJ331N25TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RCJ331N25 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RCJ331N25TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RCJ331N25TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RCJ331N25TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RCJ331N25TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.165 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 211W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |