RCX051N25 ROHM Semiconductor


rcx051n25_e-1873277.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.43 грн
10+78.99 грн
100+57.09 грн
500+42.80 грн
1000+34.03 грн
2500+33.14 грн
5000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RCX051N25 ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції RCX051N25 за ціною від 54.36 грн до 132.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RCX051N25 RCX051N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+80.84 грн
100+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX051N25 datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.03 грн
10+80.84 грн
100+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.