
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.32 грн |
10+ | 83.98 грн |
100+ | 60.69 грн |
500+ | 45.50 грн |
1000+ | 36.18 грн |
2500+ | 35.23 грн |
5000+ | 33.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX051N25 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCX051N25 за ціною від 55.57 грн до 134.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RCX051N25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|