на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.63 грн |
| 10+ | 70.93 грн |
| 100+ | 47.94 грн |
| 500+ | 31.25 грн |
| 1000+ | 31.10 грн |
| 5000+ | 29.59 грн |
| 10000+ | 29.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX081N20 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCX081N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RCX081N20 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |