на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.51 грн |
| 10+ | 137.06 грн |
| 100+ | 94.90 грн |
| 250+ | 87.55 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 71.88 грн |
| 2500+ | 70.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX120N20 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RCX120N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RCX120N20 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |