RCX330N25 Rohm Semiconductor
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 227.43 грн |
| 100+ | 180.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RCX330N25 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc), Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V.
Інші пропозиції RCX330N25 за ціною від 113.76 грн до 285.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RCX330N25 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 250V 33A MOSFET |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RCX330N25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc) Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RCX330N25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 33A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| RCX330N25 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| RCX330N25 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; Idm: 132A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 33A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| RCX330N25 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; Idm: 132A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 33A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |