RD0106T-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A TP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TP
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD0106T-H onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A TP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: TP, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції RD0106T-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RD0106T-H | ON Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 1A 600V |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RD0106T-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 1A 600V
Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 1A 600V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)