RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Виробник: OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS
Packaging: Case
Wavelength: 950nm
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Response Time: 6ns
Sensor Type: Photodiode
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm
Active Area: 100mm²
Current - Dark (Typ): 2nA
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12159.86 грн |
| 10+ | 10160.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS, Packaging: Case, Wavelength: 950nm, Output Type: Analog Voltage, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -20°C ~ 60°C, Response Time: 6ns, Sensor Type: Photodiode, Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm, Active Area: 100mm², Current - Dark (Typ): 2nA, Part Status: Active.
Інші пропозиції RD100A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RD100A | Advanced Photonix |
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RD100A |
![]() |
Виробник: Advanced Photonix
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.



