RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Виробник: OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS
Part Status: Active
Sensor Type: Photodiode
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Output Type: Analog Voltage
Packaging: Case
Current - Dark (Typ): 2nA
Active Area: 100mm²
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm
Response Time: 6ns
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 950nm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD100A OSI Optoelectronics, Inc.
Description: SENSOR PHOTODIODE 950NM 6NS, Part Status: Active, Sensor Type: Photodiode, Operating Temperature: -20°C ~ 60°C, Output Type: Analog Voltage, Packaging: Case, Current - Dark (Typ): 2nA, Active Area: 100mm², Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 900nm, Response Time: 6ns, Mounting Type: Through Hole, Wavelength: 950nm.
Інші пропозиції RD100A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
RD100A | Advanced Photonix |
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RD100A |
![]() |
Виробник: Advanced Photonix
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
Photodiodes 10x10 mm fully depleted, high energy radiation photodetector, low bias
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


