
RD3E07BBJHRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 81.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3E07BBJHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції RD3E07BBJHRBTL за ціною від 39.84 грн до 171.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RD3E07BBJHRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RD3E07BBJHRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|