Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3E07BBJHRBTL
RD3E07BBJHRBTL

RD3E07BBJHRBTL Rohm Semiconductor

rd3e07bbjhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -78A, TO-252 (DPAK), PO
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
10+99.81 грн
50+75.56 грн
100+63.56 грн
500+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3E07BBJHRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції RD3E07BBJHRBTL за ціною від 44.14 грн до 175.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3E07BBJHRBTL RD3E07BBJHRBTL ROHM Semiconductor rd3e07bbjhrbtl-e.pdf MOSFETs Transistor, Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+175.17 грн
10+83.92 грн
100+65.84 грн
500+52.10 грн
1000+50.45 грн
2500+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTL RD3E07BBJHRBTL ROHM rd3e07bbjhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTL RD3E07BBJHRBTL ROHM rd3e07bbjhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTL rd3e07bbjhrbtl-e.pdf
RD3E07BBJHRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.17 грн
10+83.92 грн
100+65.84 грн
500+52.10 грн
1000+50.45 грн
2500+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTL rd3e07bbjhrbtl-e.pdf
RD3E07BBJHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3E07BBJHRBTL rd3e07bbjhrbtl-e.pdf
RD3E07BBJHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.