RD3E08BBJHRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3E08BBJHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RD3E08BBJHRBTL за ціною від 69.40 грн до 263.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3E08BBJHRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 P-CH 30V 80A |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3E08BBJHRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3E08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|