RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3G01BATTL1 за ціною від 25.94 грн до 123.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO252 P-CH 40V 10A |
на замовлення 21872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3G01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RD3G01BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain current: -15A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 19.3nC On-state resistance: 49mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 25W |
товару немає в наявності |