Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G01BATTL1
RD3G01BATTL1

RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції RD3G01BATTL1 за ціною від 25.75 грн до 125.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.26 грн
500+42.40 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+70.34 грн
100+42.66 грн
500+33.69 грн
1000+30.72 грн
2500+27.96 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.71 грн
100+50.02 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
10+81.35 грн
100+50.26 грн
500+42.40 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+50.26 грн
500+42.40 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.53 грн
10+70.34 грн
100+42.66 грн
500+33.69 грн
1000+30.72 грн
2500+27.96 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.93 грн
10+74.71 грн
100+50.02 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.64 грн
10+81.35 грн
100+50.26 грн
500+42.40 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.