Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G01BATTL1
RD3G01BATTL1

RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції RD3G01BATTL1 за ціною від 27.45 грн до 121.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+60.10 грн
252+57.69 грн
500+55.60 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+65.99 грн
250+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+116.78 грн
10+74.99 грн
100+45.48 грн
500+35.92 грн
1000+32.75 грн
2500+29.81 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+74.68 грн
100+49.99 грн
500+36.98 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 rd3g01battl1-e.pdf
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+60.10 грн
252+57.69 грн
500+55.60 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 rd3g01battl1-e.pdf
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+65.99 грн
250+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 P-CH 40V 10A
на замовлення 21872 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.78 грн
10+74.99 грн
100+45.48 грн
500+35.92 грн
1000+32.75 грн
2500+29.81 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.87 грн
10+74.68 грн
100+49.99 грн
500+36.98 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 rd3g01battl1-e.pdf
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.