Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G03BATTL1
RD3G03BATTL1

RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3G03BATTL1 за ціною від 41.90 грн до 147.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g03battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
10+90.59 грн
100+61.24 грн
500+45.69 грн
1000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 ROHM rd3g03battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g03battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 RD3G03BATTL1 ROHM rd3g03battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 ROHM - Japan datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 rd3g03battl1-e.pdf
RD3G03BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G03BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
10+90.59 грн
100+61.24 грн
500+45.69 грн
1000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G03BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 rd3g03battl1-e.pdf
RD3G03BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 rd3g03battl1-e.pdf
RD3G03BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 rd3g03battl1-e.pdf
RD3G03BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BATTL1 datasheet?p=RD3G03BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.