Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G03BBGTL1
RD3G03BBGTL1

RD3G03BBGTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.21 грн
10+106.71 грн
100+85.78 грн
500+66.14 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G03BBGTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Інші пропозиції RD3G03BBGTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM rd3g03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1 RD3G03BBGTL1 ROHM rd3g03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1 datasheet?p=RD3G03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G03BBGTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1 rd3g03bbgtl1-e.pdf
RD3G03BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G03BBGTL1 rd3g03bbgtl1-e.pdf
RD3G03BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.