Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G04BBKHRBTL

RD3G04BBKHRBTL ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 40V 40A

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RD3G04BBKHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції RD3G04BBKHRBTL

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RD3G04BBKHRBTL	ROHM	Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm	на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RD3G04BBKHRBTL	ROHM	Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

RD3G04BBKHRBTL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RD3G04BBKHRBTL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.