Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3G07BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.09 грн
5000+62.56 грн
7500+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 101W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 101W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції RD3G07BATTL1 за ціною від 71.84 грн до 224.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g07battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.91 грн
110+128.88 грн
250+123.71 грн
500+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g07battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.92 грн
10+146.67 грн
100+118.29 грн
500+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g07battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.92 грн
97+146.67 грн
120+118.29 грн
500+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G07BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.72 грн
10+140.66 грн
100+97.41 грн
500+74.05 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3G07BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 10508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 ROHM rd3g07battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g07battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor rd3g07battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 RD3G07BATTL1 ROHM rd3g07battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+134.91 грн
110+128.88 грн
250+123.71 грн
500+114.98 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+214.92 грн
10+146.67 грн
100+118.29 грн
500+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+214.92 грн
97+146.67 грн
120+118.29 грн
500+97.18 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 datasheet?p=RD3G07BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.72 грн
10+140.66 грн
100+97.41 грн
500+74.05 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 datasheet?p=RD3G07BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G07BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 10508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BATTL1 rd3g07battl1-e.pdf
RD3G07BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.