Продукція > ROHM > RD3G07BBGTL1
RD3G07BBGTL1

RD3G07BBGTL1 ROHM


rd3g07bbgtl1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G07BBGTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RD3G07BBGTL1 за ціною від 89.75 грн до 285.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3G07BBGTL1 RD3G07BBGTL1 Виробник : ROHM rd3g07bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.69 грн
10+188.99 грн
100+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G07BBGTL1 RD3G07BBGTL1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.81 грн
10+197.13 грн
100+119.92 грн
500+98.58 грн
1000+91.22 грн
2500+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.