RD3G08BBJHRBTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.66 грн |
| 10+ | 145.53 грн |
| 100+ | 110.96 грн |
| 500+ | 94.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3G08BBJHRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm.
Інші пропозиції RD3G08BBJHRBTL за ціною від 111.27 грн до 248.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3G08BBJHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RD3G08BBJHRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| RD3G08BBJHRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RD3G08BBJHRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
Description: ROHM - RD3G08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RD3G08BBJHRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 221.65 грн |
| 78+ | 184.55 грн |
| 100+ | 155.06 грн |
| 500+ | 134.85 грн |
| 1000+ | 111.27 грн |
| RD3G08BBJHRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 248.92 грн |