Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G08DBKHRBTL
RD3G08DBKHRBTL

RD3G08DBKHRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 40V 80A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3G08DBKHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm.

Інші пропозиції RD3G08DBKHRBTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL ROHM Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G08DBKHRBTL
RD3G08DBKHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.