Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3G08DBKHRBTL

RD3G08DBKHRBTL ROHM Semiconductor

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 40V 80A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RD3G08DBKHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RD3G08DBKHRBTL

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RD3G08DBKHRBTL	ROHM	Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RD3G08DBKHRBTL	ROHM	Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

RD3G08DBKHRBTL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RD3G08DBKHRBTL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3G08DBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.