на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.39 грн |
| 5000+ | 46.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3G400GNTL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 80A; 26W; DPAK,TO252, Case: DPAK; TO252, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 19nC, On-state resistance: 9.5mΩ, Power dissipation: 26W, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 80A.
Інші пропозиції RD3G400GNTL за ціною від 40.29 грн до 116.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3G400GNTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 40.0A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RD3G400GNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RD3G400GNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 80A; 26W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 9.5mΩ Power dissipation: 26W Drain current: 40A Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |