Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3H045SPFRATL
RD3H045SPFRATL

RD3H045SPFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3H045SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+89.54 грн
100+69.81 грн
500+54.12 грн
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H045SPFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3H045SPFRATL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3H045SPFRATL RD3H045SPFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H045SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATL RD3H045SPFRATL ROHM rd3h045spfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATL RD3H045SPFRATL ROHM datasheet?p=RD3H045SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATL datasheet?p=RD3H045SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H045SPFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATL rd3h045spfratl-e.pdf
RD3H045SPFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H045SPFRATL datasheet?p=RD3H045SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H045SPFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.