на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.03 грн |
| 10+ | 90.31 грн |
| 100+ | 60.84 грн |
| 500+ | 50.27 грн |
| 1000+ | 39.70 грн |
| 2500+ | 38.16 грн |
| 5000+ | 37.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3H080SPTL1 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RD3H080SPTL1 за ціною від 41.98 грн до 138.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3H080SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RD3H080SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |