Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3H160SPFRATL
RD3H160SPFRATL

RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції RD3H160SPFRATL за ціною від 40.15 грн до 173.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor rd3h160spfratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+105.11 грн
161+89.57 грн
188+76.60 грн
200+70.08 грн
500+60.74 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor rd3h160spfratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+110.56 грн
143+101.06 грн
250+92.42 грн
500+80.79 грн
1000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.11 грн
10+102.36 грн
100+69.57 грн
500+52.10 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+173.39 грн
10+96.94 грн
100+64.85 грн
500+52.50 грн
1000+48.28 грн
2500+43.63 грн
5000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL ROHM rd3h160spfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL ROHM rd3h160spfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL rd3h160spfratl-e.pdf
RD3H160SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+105.11 грн
161+89.57 грн
188+76.60 грн
200+70.08 грн
500+60.74 грн
1000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL rd3h160spfratl-e.pdf
RD3H160SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+110.56 грн
143+101.06 грн
250+92.42 грн
500+80.79 грн
1000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.11 грн
10+102.36 грн
100+69.57 грн
500+52.10 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.39 грн
10+96.94 грн
100+64.85 грн
500+52.50 грн
1000+48.28 грн
2500+43.63 грн
5000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL rd3h160spfratl-e.pdf
RD3H160SPFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL rd3h160spfratl-e.pdf
RD3H160SPFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 6802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.