Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3H160SPFRATL
RD3H160SPFRATL

RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції RD3H160SPFRATL за ціною від 37.49 грн до 165.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+85.74 грн
100+57.44 грн
500+45.84 грн
1000+44.11 грн
2500+38.04 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL ROHM datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
50+96.65 грн
100+74.26 грн
500+55.19 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.42 грн
10+101.93 грн
100+69.28 грн
500+51.88 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.41 грн
10+85.74 грн
100+57.44 грн
500+45.84 грн
1000+44.11 грн
2500+38.04 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.08 грн
50+96.65 грн
100+74.26 грн
500+55.19 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPFRATL datasheet?p=RD3H160SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.42 грн
10+101.93 грн
100+69.28 грн
500+51.88 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.