Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3H160SPTL1
RD3H160SPTL1

RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor

rd3h160sptl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.42 грн
157+90.28 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Інші пропозиції RD3H160SPTL1 за ціною від 50.18 грн до 169.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.25 грн
141+100.54 грн
250+96.52 грн
500+89.70 грн
1000+80.35 грн
2500+74.86 грн
5000+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+98.80 грн
50+74.80 грн
100+62.93 грн
500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.63 грн
10+120.10 грн
25+114.93 грн
50+106.69 грн
100+76.59 грн
250+73.03 грн
500+59.44 грн
1000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.44 грн
117+121.39 грн
122+116.17 грн
127+107.84 грн
164+77.42 грн
250+73.81 грн
500+60.08 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM rd3h160sptl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM rd3h160sptl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+105.25 грн
141+100.54 грн
250+96.52 грн
500+89.70 грн
1000+80.35 грн
2500+74.86 грн
5000+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.68 грн
10+98.80 грн
50+74.80 грн
100+62.93 грн
500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.63 грн
10+120.10 грн
25+114.93 грн
50+106.69 грн
100+76.59 грн
250+73.03 грн
500+59.44 грн
1000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.44 грн
117+121.39 грн
122+116.17 грн
127+107.84 грн
164+77.42 грн
250+73.81 грн
500+60.08 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 rd3h160sptl-e.pdf
RD3H160SPTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.