RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 248+ | 50.23 грн |
| 258+ | 48.21 грн |
| 500+ | 46.47 грн |
| 1000+ | 43.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3L01BATTL1 за ціною від 30.00 грн до 116.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
на замовлення 29468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L01BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L01BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |