Продукція > ROHM > RD3L01BATTL1
RD3L01BATTL1

RD3L01BATTL1 ROHM

datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+49.85 грн
500+36.57 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L01BATTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L01BATTL1 за ціною від 26.99 грн до 116.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+62.08 грн
100+41.08 грн
500+33.62 грн
1000+31.76 грн
2500+28.99 грн
5000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+68.13 грн
100+48.71 грн
500+36.33 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1 RD3L01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
50+74.82 грн
100+49.85 грн
500+36.57 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1 datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L01BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.23 грн
10+62.08 грн
100+41.08 грн
500+33.62 грн
1000+31.76 грн
2500+28.99 грн
5000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1 datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.73 грн
10+68.13 грн
100+48.71 грн
500+36.33 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L01BATTL1 datasheet?p=RD3L01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.78 грн
50+74.82 грн
100+49.85 грн
500+36.57 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.