Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L03BBGTL1
RD3L03BBGTL1

RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.04 грн
10+88.13 грн
100+70.16 грн
500+55.71 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L03BBGTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L03BBGTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 N-CH 60V 40A
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 ROHM rd3l03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1 RD3L03BBGTL1 ROHM rd3l03bbgtl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1 datasheet?p=RD3L03BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L03BBGTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 60V 40A
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1 rd3l03bbgtl1-e.pdf
RD3L03BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBGTL1 rd3l03bbgtl1-e.pdf
RD3L03BBGTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0087 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.