Продукція > ROHM > RD3L03BBJHRBTL
RD3L03BBJHRBTL

RD3L03BBJHRBTL ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.00 грн
500+54.74 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L03BBJHRBTL ROHM

Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RD3L03BBJHRBTL за ціною від 34.50 грн до 170.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.12 грн
10+99.64 грн
100+57.68 грн
500+47.25 грн
1000+41.40 грн
2500+35.14 грн
5000+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL Виробник : ROHM Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+170.10 грн
10+108.90 грн
100+72.00 грн
500+54.74 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.