Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L03BBJHRBTL
RD3L03BBJHRBTL

RD3L03BBJHRBTL Rohm Semiconductor

rd3l03bbjhrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -29A, TO-252 (DPAK), PO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L03BBJHRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RD3L03BBJHRBTL за ціною від 35.66 грн до 149.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL Rohm Semiconductor rd3l03bbjhrbtl-e.pdf Description: PCH -60V -29A, TO-252 (DPAK), PO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.56 грн
10+84.94 грн
50+63.94 грн
100+53.64 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL ROHM Semiconductor rd3l03bbjhrbtl-e.pdf MOSFETs Transistor, Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.77 грн
10+70.97 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+42.49 грн
2500+35.89 грн
5000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL ROHM rd3l03bbjhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL RD3L03BBJHRBTL ROHM rd3l03bbjhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL rd3l03bbjhrbtl-e.pdf
RD3L03BBJHRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -29A, TO-252 (DPAK), PO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.56 грн
10+84.94 грн
50+63.94 грн
100+53.64 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL rd3l03bbjhrbtl-e.pdf
RD3L03BBJHRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.77 грн
10+70.97 грн
100+55.10 грн
500+43.62 грн
1000+42.49 грн
2500+35.89 грн
5000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL rd3l03bbjhrbtl-e.pdf
RD3L03BBJHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L03BBJHRBTL rd3l03bbjhrbtl-e.pdf
RD3L03BBJHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L03BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 29 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.