RD3L04BBKHRBTL ROHM Semiconductor
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.21 грн |
| 10+ | 88.55 грн |
| 100+ | 59.86 грн |
| 500+ | 50.80 грн |
| 1000+ | 41.29 грн |
| 2500+ | 38.12 грн |
| 5000+ | 37.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L04BBKHRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3L04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RD3L04BBKHRBTL за ціною від 43.12 грн до 165.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L04BBKHRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|