RD3L050SNFRATL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.11 грн |
| 500+ | 50.15 грн |
| 1000+ | 37.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L050SNFRATL ROHM
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RD3L050SNFRATL за ціною від 37.12 грн до 176.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RD3L050SNFRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L050SNFRATL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252 |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L050SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3L050SNFRATL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RD3L050SNFRATL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RD3L050SNFRATL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |