Продукція > ROHM > RD3L050SNFRATL
RD3L050SNFRATL

RD3L050SNFRATL ROHM

rd3l050snfratl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.27 грн
500+50.27 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L050SNFRATL ROHM

Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RD3L050SNFRATL за ціною від 37.21 грн до 176.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Виробник : ROHM rd3l050snfratl-e.pdf Description: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.27 грн
10+94.08 грн
100+66.27 грн
500+50.27 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.89 грн
10+95.60 грн
100+61.14 грн
500+56.21 грн
1000+48.92 грн
2500+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.67 грн
10+106.37 грн
25+89.78 грн
100+66.65 грн
250+57.99 грн
500+52.67 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RD3L050SNFRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATL RD3L050SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.