RD3L07BATTL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.80 грн |
| 500+ | 73.70 грн |
| 1000+ | 63.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L07BATTL1 ROHM
Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 101W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3L07BATTL1 за ціною від 63.30 грн до 228.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L07BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3L07BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3L07BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3L07BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -60V -70A Power MOSFET |
на замовлення 54362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3L07BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3L07BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RD3L07BATTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RD3L07BATTL1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
RD3L07BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |