RD3L07BBGTL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.97 грн |
| 10+ | 202.16 грн |
| 100+ | 162.48 грн |
| 500+ | 125.28 грн |
| 1000+ | 103.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L07BBGTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 102W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3L07BBGTL1 за ціною від 86.07 грн до 276.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L07BBGTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3L07BBGTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. |
на замовлення 4908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3L07BBGTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
RD3L07BBGTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |