Продукція > ROHM > RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL

RD3L080SNFRATL ROHM


Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+61.69 грн
500+41.88 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L080SNFRATL ROHM

Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L080SNFRATL за ціною від 35.90 грн до 140.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+88.32 грн
100+68.68 грн
500+54.63 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL ROHM Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
10+87.79 грн
100+61.69 грн
500+41.88 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATL RD3L080SNFRATL ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+87.33 грн
100+53.29 грн
500+42.87 грн
1000+39.49 грн
2500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+88.32 грн
100+68.68 грн
500+54.63 грн
1000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+126.45 грн
10+87.79 грн
100+61.69 грн
500+41.88 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.94 грн
10+87.33 грн
100+53.29 грн
500+42.87 грн
1000+39.49 грн
2500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.