Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor

rd3l08bgntl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.50 грн
10+194.98 грн
100+156.70 грн
500+120.82 грн
1000+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L08BGNTL за ціною від 181.03 грн до 246.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.98 грн
60+237.57 грн
100+229.51 грн
250+214.60 грн
500+193.30 грн
1000+181.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.98 грн
60+237.57 грн
100+229.51 грн
250+214.60 грн
500+193.30 грн
1000+181.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM rd3l08bgntl-e.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL ROHM rd3l08bgntl-e.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.98 грн
60+237.57 грн
100+229.51 грн
250+214.60 грн
500+193.30 грн
1000+181.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.98 грн
60+237.57 грн
100+229.51 грн
250+214.60 грн
500+193.30 грн
1000+181.03 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL rd3l08bgntl-e.pdf
RD3L08BGNTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.