Продукція > ROHM > RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL ROHM

rd3l08bgntl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L08BGNTL ROHM

Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L08BGNTL за ціною від 84.24 грн до 247.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : ROHM Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.68 грн
10+178.35 грн
100+123.60 грн
250+114.15 грн
500+103.13 грн
1000+88.96 грн
2500+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+222.82 грн
60+214.33 грн
100+207.05 грн
250+193.61 грн
500+174.39 грн
1000+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+222.82 грн
60+214.33 грн
100+207.05 грн
250+193.61 грн
500+174.39 грн
1000+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : ROHM rd3l08bgntl-e.pdf Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.63 грн
10+168.68 грн
100+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.82 грн
10+214.28 грн
100+172.21 грн
500+132.78 грн
1000+110.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL RD3L08BGNTL Виробник : Rohm Semiconductor rd3l08bgntl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rd3l08bgntl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 8.1mΩ
Power dissipation: 119W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.