RD3L08BGNTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 113.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L08BGNTL ROHM
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 119W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3L08BGNTL за ціною від 80.58 грн до 237.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3L08BGNTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RD3L08BGNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
товару немає в наявності |