RD3L140SPTL1

RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3L140SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.96 грн
5000+45.82 грн
12500+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L140SPTL1 за ціною від 41.88 грн до 161.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3L140SPTL1 RD3L140SPTL1 Виробник : ROHM rd3l140sptl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.39 грн
500+53.49 грн
1000+45.63 грн
5000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1 RD3L140SPTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L140SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 29668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.96 грн
10+95.18 грн
100+74.02 грн
500+58.88 грн
1000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1 RD3L140SPTL1 Виробник : ROHM rd3l140sptl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.98 грн
10+103.16 грн
100+71.39 грн
500+53.49 грн
1000+45.63 грн
5000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1 RD3L140SPTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L140SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.36 грн
10+105.75 грн
100+63.27 грн
500+51.13 грн
1000+47.23 грн
2500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3L140SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RD3L140SPTL1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.