Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3L150SNFRATL
RD3L150SNFRATL

RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

Інші пропозиції RD3L150SNFRATL за ціною від 40.94 грн до 164.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3L150SNFRATL RD3L150SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.20 грн
500+55.64 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor rd3l150snfratl_e-1873170.pdf MOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+90.50 грн
100+64.82 грн
500+55.37 грн
1000+45.63 грн
2500+42.94 грн
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL RD3L150SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+113.68 грн
100+88.62 грн
500+68.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL RD3L150SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.30 грн
50+97.45 грн
100+78.20 грн
500+55.64 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L150SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+78.20 грн
500+55.64 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL rd3l150snfratl_e-1873170.pdf
RD3L150SNFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+90.50 грн
100+64.82 грн
500+55.37 грн
1000+45.63 грн
2500+42.94 грн
5000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L150SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.03 грн
10+113.68 грн
100+88.62 грн
500+68.70 грн
1000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATL datasheet?p=RD3L150SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L150SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+164.30 грн
50+97.45 грн
100+78.20 грн
500+55.64 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.