RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 36.17 грн |
| 5000+ | 33.17 грн |
| 12500+ | 31.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RD3L150SNTL1 за ціною від 32.00 грн до 95.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RD3L150SNTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V |
на замовлення 24538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RD3L150SNTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK) |
на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RD3L150SNTL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RD3L150SNTL1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |