RD3L220SNTL1

RD3L220SNTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3L220SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3L220SNTL1 за ціною від 47.56 грн до 187.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Виробник : ROHM rd3l220sntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.80 грн
500+60.63 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.69 грн
10+99.87 грн
100+68.02 грн
500+51.02 грн
1000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3L220SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.26 грн
10+111.12 грн
100+65.60 грн
500+52.31 грн
1000+49.45 грн
2500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1 RD3L220SNTL1 Виробник : ROHM rd3l220sntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.15 грн
10+121.10 грн
100+81.80 грн
500+60.63 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.