Продукція > ROHM > RD3N06BATTL1
RD3N06BATTL1

RD3N06BATTL1 ROHM


Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3N06BATTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RD3N06BATTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3N06BATTL1 RD3N06BATTL1 ROHM Semiconductor MOSFETs Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1 RD3N06BATTL1 ROHM Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1
RD3N06BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3N06BATTL1
RD3N06BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.