Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P01BATTL1
RD3P01BATTL1

RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.27 грн
10+72.36 грн
100+48.53 грн
500+35.97 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RD3P01BATTL1 за ціною від 28.83 грн до 124.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+124.05 грн
10+58.36 грн
100+44.75 грн
500+35.81 грн
1000+33.59 грн
2500+29.42 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 RD3P01BATTL1 ROHM datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor rd3p01battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+110.47 грн
152+93.94 грн
167+85.85 грн
200+78.43 грн
500+64.98 грн
1000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P01BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.05 грн
10+58.36 грн
100+44.75 грн
500+35.81 грн
1000+33.59 грн
2500+29.42 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 datasheet?p=RD3P01BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P01BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P01BATTL1 rd3p01battl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+110.47 грн
152+93.94 грн
167+85.85 грн
200+78.43 грн
500+64.98 грн
1000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.