Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P02BATTL1
RD3P02BATTL1

RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor

rd3p02battl1-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+102.37 грн
100+63.71 грн
500+50.76 грн
1000+46.05 грн
2500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor

Description: PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.

Інші пропозиції RD3P02BATTL1 за ціною від 45.19 грн до 157.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3P02BATTL1 RD3P02BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3p02battl1-e.pdf Description: PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.57 грн
10+97.17 грн
100+65.87 грн
500+49.24 грн
1000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3p02battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.01 грн
118+103.71 грн
129+94.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P02BATTL1 RD3P02BATTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3p02battl1-e.pdf Description: PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.