Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P050SNFRATL
RD3P050SNFRATL

RD3P050SNFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+72.61 грн
100+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P050SNFRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції RD3P050SNFRATL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P050SNFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P050SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P050SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.