Продукція > ROHM > RD3P050SNFRATL
RD3P050SNFRATL

RD3P050SNFRATL ROHM

datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.68 грн
500+47.17 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P050SNFRATL ROHM

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RD3P050SNFRATL за ціною від 36.40 грн до 147.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+78.13 грн
100+60.78 грн
500+48.34 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL Виробник : ROHM Semiconductor rd3p050snfratl_e-1873032.pdf MOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.88 грн
10+80.85 грн
100+57.61 грн
500+49.76 грн
1000+40.51 грн
2500+36.99 грн
5000+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL Виробник : ROHM datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.37 грн
10+86.45 грн
100+60.68 грн
500+47.17 грн
1000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNFRATL RD3P050SNFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P050SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.