RD3P050SNTL1

RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.15 грн
5000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P050SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3P050SNTL1 за ціною від 23.84 грн до 80.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Виробник : ROHM datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.17 грн
500+31.42 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+51.73 грн
100+40.21 грн
500+31.99 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor rd3p050sntl_e-1873190.pdf MOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.21 грн
10+53.89 грн
100+38.11 грн
500+32.88 грн
1000+26.85 грн
2500+24.79 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 Виробник : ROHM datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.47 грн
14+59.34 грн
100+42.17 грн
500+31.42 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P050SNTL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RD3P050SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RD3P050SNTL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.