RD3P05BATTL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.11 грн |
| 10+ | 179.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P05BATTL1 ROHM
Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RD3P05BATTL1 за ціною від 75.78 грн до 302.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3P05BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3P05BATTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RD3P05BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P05BATTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RD3P05BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
RD3P05BATTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |