Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P05BATTL1
RD3P05BATTL1

RD3P05BATTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P05BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P05BATTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RD3P05BATTL1 за ціною від 77.31 грн до 351.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P05BATTL1 RD3P05BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P05BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+147.75 грн
100+102.75 грн
500+78.39 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 RD3P05BATTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P05BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 RD3P05BATTL1 ROHM rd3p05battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 RD3P05BATTL1 ROHM rd3p05battl1-e.pdf Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 Rohm Semiconductor rd3p05battl1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+351.23 грн
58+245.15 грн
64+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 datasheet?p=RD3P05BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P05BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.57 грн
10+147.75 грн
100+102.75 грн
500+78.39 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 datasheet?p=RD3P05BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P05BATTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 rd3p05battl1-e.pdf
RD3P05BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 rd3p05battl1-e.pdf
RD3P05BATTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P05BATTL1 rd3p05battl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+351.23 грн
58+245.15 грн
64+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.