Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P08BBLHRBTL
RD3P08BBLHRBTL

RD3P08BBLHRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P08BBLHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.37 грн
10+178.91 грн
50+138.39 грн
100+117.63 грн
500+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P08BBLHRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.

Інші пропозиції RD3P08BBLHRBTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P08BBLHRBTL RD3P08BBLHRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBLHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTL RD3P08BBLHRBTL ROHM datasheet?p=RD3P08BBLHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTL datasheet?p=RD3P08BBLHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P08BBLHRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBLHRBTL datasheet?p=RD3P08BBLHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RD3P08BBLHRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.