Продукція > ROHM > RD3P100SNFRATL
RD3P100SNFRATL

RD3P100SNFRATL ROHM

datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+69.99 грн
500+51.75 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P100SNFRATL ROHM

Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3P100SNFRATL за ціною від 40.11 грн до 161.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P100SNFRATL RD3P100SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+79.27 грн
100+56.25 грн
500+45.30 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATL RD3P100SNFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+94.47 грн
100+55.16 грн
500+45.01 грн
1000+41.63 грн
2500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATL RD3P100SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
10+99.87 грн
100+69.99 грн
500+51.75 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATL datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.94 грн
10+79.27 грн
100+56.25 грн
500+45.30 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATL datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.36 грн
10+94.47 грн
100+55.16 грн
500+45.01 грн
1000+41.63 грн
2500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNFRATL datasheet?p=RD3P100SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.08 грн
10+99.87 грн
100+69.99 грн
500+51.75 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.