Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P100SNTL1
RD3P100SNTL1

RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3P100SNTL1 за ціною від 37.07 грн до 151.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P100SNTL1 RD3P100SNTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+83.36 грн
100+52.60 грн
500+42.18 грн
1000+39.00 грн
2500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 RD3P100SNTL1 ROHM datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
10+93.43 грн
100+62.18 грн
500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 RD3P100SNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.26 грн
100+63.11 грн
500+47.09 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 10A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.14 грн
10+83.36 грн
100+52.60 грн
500+42.18 грн
1000+39.00 грн
2500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P100SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.133 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+145.78 грн
10+93.43 грн
100+62.18 грн
500+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P100SNTL1 datasheet?p=RD3P100SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P100SNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.44 грн
10+93.26 грн
100+63.11 грн
500+47.09 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.