RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 303+ | 40.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RD3P130SPTL1 за ціною від 50.37 грн до 199.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RD3P130SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3P130SPTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P130SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P130SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P130SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P130SPTL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.135 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RD3P130SPTL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -100V -13A TO-252(DPAK) |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RD3P130SPTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|