Продукція > ROHM > RD3P130SPTL1
RD3P130SPTL1

RD3P130SPTL1 ROHM

rd3p130sptl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+82.15 грн
500+56.46 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P130SPTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

Інші пропозиції RD3P130SPTL1 за ціною від 48.32 грн до 187.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.46 грн
100+75.61 грн
500+56.94 грн
1000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+123.05 грн
100+73.87 грн
500+59.58 грн
1000+55.02 грн
2500+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 ROHM rd3p130sptl-e.pdf Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.66 грн
10+120.81 грн
100+82.15 грн
500+56.46 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.85 грн
10+110.46 грн
100+75.61 грн
500+56.94 грн
1000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -100V -13A TO-252(DPAK)
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.99 грн
10+123.05 грн
100+73.87 грн
500+59.58 грн
1000+55.02 грн
2500+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 rd3p130sptl-e.pdf
RD3P130SPTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P130SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.66 грн
10+120.81 грн
100+82.15 грн
500+56.46 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.