Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3P175SNFRATL
RD3P175SNFRATL

RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.31 грн
10+109.02 грн
100+87.61 грн
500+67.55 грн
1000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3P175SNFRATL за ціною від 98.59 грн до 98.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL ROHM - Japan datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM - Japan
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.